]> ]>
Facebook ВКонтакте Одноклассники Mail.Ru Яндекс Google
 

    

Обложка

Ладыгин Е.А.

Обеспечение надежности электронных компонентов космических аппаратов.

Учебное пособие для студентов специальностей 200100 и 200200 - Москва: МИСиС, 2003.- 111 с.

Тираж: 700 экз.

Инвентарный номер: 19456

В учебном пособии изложены основы современных методов обеспечения надежности электронных компонентов космических аппаратов (КА), работающих в специфических условиях длительного воздействия космической радиации.
Для основного класса электронных компонентов, широко применяемых в аппаратуре КА - полупроводниковых приборов и микросхем, показана эффективность комплексного использования радиационных воздействий испытательного, отбраковочного и технологического характера для решения проблем обеспечения их надежности и радиационной стойкости.
В пособии даны сведения о радиационной обстановке в околоземном космическом пространстве, приведен анализ физических эффектов в приборах и микросхемах при облучении, изложены научно обоснованные рекомендации по оптимизации режимов испытаний, расчету необходимой локальной защиты микросхем, разработке оптимальных вариантов радиационно-термических тренировок и радиационно-термических процессов для улучшения параметров, повышения стойкости приборов и микросхем к радиации, отбраковки приборов со скрытыми дефектами.
Содержание пособия соответствует программе курса «Основы лучевой технологии микроэлектроники».
Учебное пособие предназначено для студентов специальностей 200100 и 200200 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также будет полезно при выполнении дипломных и диссертационных работ в области радиационной физики, радиационного материаловедения и технологии приборов и микросхем, применяемых в аппаратуре КА.

УДК: 539.171 ( Рассеяние (упругое и неупругое). Поляризация); 539.311 ( Состояние упругого равновесия (эластостатика))

ОКСО: 160000 ( Авиационная и ракетно-космическая техника)



  • Оглавление
    • ВВЕДЕНИЕ
    • 1. ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ И РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
      • 1.1. Радиационная обстановка в околоземном космическом пространстве
      • 1.2. Воздействие радиации на полупроводниковые материалы
      • 1.3. Радиационные эффекты в биполярных приборах и микросхемах и анализ возможности их полезного использования
      • 1.4. Радиационные эффекты в кремниевых МОП и КМОП приборах и микросхемах
        • 1.4.1. Свойства структуры Si-SiO2 и накопление заряда при облучении в объеме подзатворного SiO2
        • 1.4.2. Кинетика роста поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 при облучении
        • 1.4.3. Радиационное накопление глубоких центров в приповерхностной области кремния
        • 1.4.4. Термостабильность и кинетика отжига радиационных дефектов в объеме SiO2, на границе раздела Si-SiO2 и в приповерхностной области кремния
      • 1.5. Обоснование выбора МОП и КМОП микросхем в качестве основных компонентов РЭА КА
    • 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ И КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСХЕМ
      • 2.1. Конструктивно-технологические характеристики КМОП микросхем
      • 2.2. Методики исследований зарядовых эффектов и электрических параметров в КМОП-элементах микросхем при облучении и отжиге
      • 2.3. Методика контроля компенсации проводимости кремниевой подложки при облучении и отжиге
      • 2.4. Основные характеристики облучательных и термических установок и методики радиационно-термических обработок
    • 3. РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ ОЦЕНКИ И ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ И РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ
      • 3.1. Этапы разработки и общие технические принципы методики
      • 3.2. Оценка радиационной обстановки на поверхности КА и за общей конструкционной защитой блоков для САС КА 10 лет
      • 3.3. Поэлементный анализ PC применяемых в блоках ППП и ИМС и выявление "нестойких" элементов
      • 3.4. Расчет дополнительной локальной защиты микросхем, имеющих недостаточный уровень радиационной стойкости
    • 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ОЦЕНКА ПОКАЗАТЕЛЕЙ PC МИКРОСХЕМ В РЕЖИМАХ, ПРИБЛИЖЕННЫХ К УСЛОВИЯМ ИХ ЭКСПЛУАТАЦИИ В РЭА КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ
      • 4.1. Сравнение радиационных условий эксплуатации микросхем в РЭА КА с режимами регламентных (ускоренных) наземных испытаний
      • 4.2. Определительные испытания на PC КМОП БИС микропроцессорного набора
      • 4.3. Повышение показателей PC микросхем в условиях низкой интенсивности излучения
      • 4.4. Показатели PC микросхем в условиях, имитирующих пересечение радиационных поясов и сеансность включения питания
    • 5. ЭФФЕКТИВНОСТЬ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ТРЕНИРОВКИ ДЛЯ ВЫЯВЛЕНИЯ И ОТБРАКОВКИ МИКРОСХЕМ С АНОМАЛЬНОЙ НАДЕЖНОСТЬЮ И РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ
      • 5.1. Влияние исходного разброса параметров микросхем на показатели их радиационной стойкости
      • 5.2. Анализ зарядовых неоднородностей в КМОП базовых элементах микросхем при облучении и разработка методики РТТ
    • 6. ЭФФЕКТИВНОСТЬ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ И ПОВЫШЕНИЯ PC КМОП МИКРОСХЕМ
      • 6.1. Физические основы метода РТП для класса МОП и КМОП микросхем
      • 6.2. Разработка режимов операций облучения и отжига РТП при изготовлении КМОП микросхем
      • 6.3. Закономерности изменения пороговых напряжений и крутизны сток-затворных характеристик n- и p-канальных транзисторных элементов КМОП БИС
      • 6.4. Повышение радиационной стойкости базовых элементов КМОП микросхем, изготовленных с применением РТП
    • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
    • КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
    • БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

 

Valid CSS! Valid XHTML 1.1 Rambler's Top100

Вопрос службе поддержки

[x]
Не нашли ответ на свой вопрос?
Хотите сообщить нам об ошибке или неточности на сайте?
Заполните форму и мы обязательно свяжемся с Вами!
Поля, отмеченные *, являются обязательными.

Ваш логин
Как к Вам обращаться
Ваш Email *
Текст вопроса или сообщения *
(не более 1000 символов)
осталось