]> ]>
Facebook ВКонтакте Одноклассники Mail.Ru Яндекс Google
 

    

Обложка

Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С.

Электронные приборы.

Москва: ДМК Пресс, 2006.- 399 с.

ISBN / ISSN: 5-89818-048-6

Тираж: 1000 экз.

Инвентарный номер: 19978

В книге рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры, система обозначений и простейшие схемы применения полупроводниковых приборов, электронно-управляемых ламп, электронно-лучевых трубок. Учтено качественное изменение элементной базы радиоэлектроники и бурное развитие оптоэлектроники.
Издание предназначено для студентов радиотехнических специальностей вузов. Также может быть полезно для инженерно-технических работников, занимающихся вопросами создания радиоэлектронных устройств.

УДК: 621.384 ( Получение и применение активных и корпускулярных излучений (электронные приборы))

ОКСО: 210000 ( Электронная техника, радиотехника и связь)



  • Оглавление
    • 1. Основы теории электропроводности полупроводников
      • 1.1 Общие сведения о полупроводниках
        • 1.1.1. Полупроводники с собственной электропроводностью
        • 1.1.2. Полупроводники с электронной электропроводностью
        • 1.1.3. Полупроводники с дырочной электропроводностью
      • 1.2. Токи в полупроводниках
        • 1.2.1. Дрейфовый ток
        • 1.2.2. Диффузионный ток
      • 1.3. Контактные явления
        • 1.3.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
        • 1.3.2. Прямое включение p-n-перехода
        • 1.3.3. Обратное включение p-n-перехода
        • 1.3.4. Теоретическая вольт-амперная характеристика p-n-перехода
        • 1.3.5. Реальная вольт-амперная характеристика p-n-перехода
        • 1.3.6. Емкости p-n-перехода
      • 1.4. Разновидности электрических переходов
        • 1.4.1. Гетеропереходы
        • 1.4.2. Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
        • 1.4.3. Контакт металла с полупроводником
        • 1.4.4. Омические контакты
        • 1.4.5. Явления на поверхности полупроводника
    • 2. Полупроводниковые диоды
      • 2.1. Назначение и классификация
      • 2.2. Общие параметры диодов
      • 2.3. Выпрямительные диоды
      • 2.4. Полупроводниковые стабилитроны
      • 2.5. Универсальные диоды
      • 2.6. Импульсные диоды
      • 2.7. Варикапы
      • 2.8. Сверхвысокочастотные диоды
        • 2.8.1. Общие сведения
        • 2.8.2. Смесительные диоды
        • 2.8.3. Детекторные диоды
        • 2.8.4. Параметрические и умножительные диоды
        • 2.8.5. Регулирующие диоды
        • 2.8.6. Генераторные диоды
      • 2.9. Туннельные и обращенные диоды
        • 2.9.1. Туннельные диоды
        • 2.9.2. Обращенные диоды
    • 3. Биполярные транзисторы
      • 3.1. Общие сведения о транзисторах
      • 3.2. Устройство биполярных транзисторов
      • 3.3. Включение транзистора с общей базой
        • 3.3.1. Режим отсечки и насыщения
        • 3.3.2. Активный режим
        • 3.3.3. Влияние конструкции и режима работы транзистора на статический коэффициент передачи тока эмиттера
        • 3.3.4. Уравнение Эберса-Мола
        • 3.3.5. Общие сведения о статических характеристиках транзистора
        • 3.3.6. Статические гибридные характеристики транзистора, включенного с общей базой
      • 3.4. Включение транзистора с общим эмиттером
        • 3.4.1. Режимы отсечки и насыщения
        • 3.4.2. Активный режим
        • 3.4.3. Статические гибридные характеристики транзистора, включенного с общим эмиттером
      • 3.5. Включение транзистора с общим коллектором
      • 3.6. Влияние температуры на статические характеристики транзистора
      • 3.7. Дифференциальные параметры и эквивалентные схемы транзистора
        • 3.7.1. Общие сведения о дифференциальных параметрах и эквивалентных схемах
        • 3.7.2. Система Z-параметров
        • 3.7.3. Система Z-параметров
        • 3.7.4. Частотные характеристики коэффициентов передачи входного тока
        • 3.7.5. Низкочастотные h-параметры и их определение по характеристикам
        • 3.7.6. Система Y-параметров
        • 3.7.7. Гибридная схема замещения транзистора
        • 3.7.8. Частотная зависимость Y-параметров
        • 3.7.9. Система S-параметров
        • 3.7.10. Связь между системами параметров
        • 3.7.11. Физические параметры и Т-образная эквивалентная схема транзистора
      • 3.8. Работа биполярного транзистора в режиме усиления гармонического сигнала
        • 3.8.1. Принцип работы транзисторного усилителя
        • 3.8.2. Нагрузочные характеристики транзистора
        • 3.8.3. Параметры режима усиления
        • 3.8.4. Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность транзистора
      • 3.9. Особенности работы транзистора в импульсном режиме
        • 3.9.1. Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
        • 3.9.2. Работа транзистора в режиме переключения
        • 3.9.3. Качественная оценка переходных процессов в транзисторном ключе
        • 3.9.4. Основные параметры, характеризующие импульсные свойства транзистора
      • 3.10. Конструктивные особенности биполярных транзисторов
        • 3.10.1. Классификация транзисторов
        • 3.10.2. Бездрейфовые транзисторы
        • 3.10.3. Дрейфовые транзисторы
    • 4. Полевые транзисторы
      • 4.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
        • 4.1.1 Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
        • 4.1.2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
      • 4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
        • 4.2.1. Общие сведения
        • 4.2.2. МДП-транзисторы с индуцированным каналом
        • 4.2.3. МДП-транзисторы со встроенным каналом
      • 4.3. Влияние температуры на характеристики полевых транзисторов
      • 4.4. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
      • 4.5. Эквивалентные схемы и частотные свойства полевых транзисторов
      • 4.6. Работа полевых транзисторов в режиме нагрузки
        • 4.6.1. Усилительный каскад с общим истоком
        • 4.6.2. Нагрузочные характеристики
        • 4.6.3. Параметры режима усиления
      • 4.7. Конструктивные особенности н разновидности полевых транзисторов
        • 4.7.1. Двухзатворные транзисторы
        • 4.7.2. Полевые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением
        • 4.7.3. Полевые СВЧ-транзисторы
    • 5. Переключательные полупроводниковые приборы
      • 5.1. Динисторы
      • 5.2. Тринисторы
      • 5.3. Симметричные тиристоры
      • 5.4. Основные параметры тиристоров
      • 5.5. Однопереходный транзистор
      • 5.6. Лавинный транзистор
    • 6. Электронно-управляемые лампы
      • 6.1. Общие сведения об электронно-управляемых лампах
      • 6.2. Электровакуумные диоды
      • 6.3. Триоды
      • 6.4. Тетроды
      • 6.5. Пентоды
      • 6.6. Параметры многоэлектродных электронно-управляемых ламп
      • 6.7. Работа электронно-управляемых ламп в режиме нагрузки
        • 6.7.1. Усилительный каскад с общим катодом
        • 6.7.2. Нагрузочные характеристики и параметры режима усиления
        • 6.7.3. Эквивалентные схемы электронных ламп
        • 6.7.4. Особенности работы электронно-управляемых ламп в импульсном режиме
        • 6.7.5. Приемно-уснлительные электронно-управляемые лампы диапазонов низкой н высокой частоты
        • 6.7.6. Электронно-управляемые лампы сверхвысоких частот
        • 6.7.7. Генераторные и модуляторные лампы
    • 7. Электронно-лучевые приборы
      • 7.1. Общие сведения об электронно-лучевых приборах
      • 7.2. Электронные прожекторы с электростатической фокусировкой
        • 7.2.1. Закон преломления электронного луча
        • 7.2.2. Тетродный прожектор
        • 7.2.3. Пентодные прожекторы
      • 7.3. Электронные прожекторы с магнитной фокусировкой
      • 7.4. Отклоняющие системы электронно-лучевых трубок
        • 7.4.1. Электростатические отклоняющие системы
        • 7.4.2. Магнитные отклоняющие системы
      • 7.5. Люминесцентные экраны электронно-лучевых трубок
        • 7.5.1. Устройство и принцип действия экрана
        • 7.5.2. Основные параметры и характеристики экранов
      • 7.6. Основные типы электронно-лучевых трубок
        • 7.6.1. Классификация и система обозначений
        • 7.6.2. Осциллографические трубки
        • 7.6.3. Кинескопы
        • 7.6.4. Индикаторные трубки
        • 7.6.5. Запоминающие трубки
        • 7.6.6. Передающие телевизионные трубки
    • 8. Газоразрядные приборы
      • 8.1. Общие сведения о газоразрядных приборах
      • 8.2. Газоразрядные приборы с горячим катодом
      • 8.3. Газоразрядные приборы с холодным катодом
        • 8.3.1. Стабилитроны
        • 8.3.2. Тиратроны тлеющего разряда
        • 8.3.3. Индикаторные газоразрядные приборы
    • 9. Оптоэлектронные приборы
      • 9.1. Общие сведения об оптоэлектронике
      • 9.2. Источники света
        • 9.2.1. Виды источников излучения и их основные характеристики
        • 9.2.2. Инжекционные светодиоды с p-n-переходами
        • 9.2.3. Светодиоды с антистоксовыми люминофорами
        • 9.2.4. Источники света с порошкообразными и пленочными электролюминофорами
      • 9.3. Фотоприемники
        • 9.3.1. Виды фотоприемников и их основные характеристики
        • 9.3.2. Фоторезисторы
        • 9.3.3. Фотодиоды
        • 9.3.4. Фототранзистор и фототиристор
      • 9.4. Оптроны
        • 9.4.1. Устройство и основные параметры оптронов
        • 9.4.2. Резисторные оптопары
        • 9.4.3. Диодные оптопары
        • 9.4.4. Транзисторные и тиристорные оптопары
        • 9.4.5. Обозначения и применение оптронов
    • 10. Шумы электронных приборов
      • 10.1. Общие сведения
      • 10.2. Шумы электронных ламп
        • 10.2.1. Причины собственных шумов электронных ламп
        • 10.2.2. Шумовые параметры электронных ламп
      • 10.3. Шумы газоразрядных приборов
      • 10.4. Шумы биполярных транзисторов
        • 10.4.1. Причины шумов биполярных транзисторов
        • 10.4.2. Коэффициент шума
      • 10.5. Шумы полевых транзисторов
    • 11. Элементы интегральных микросхем
      • 11.1. Общие сведения о микроэлектронике
      • 11.2. Полупроводниковые ИМС
        • 11.2.1. Транзисторы полупроводниковых ИМС
        • 11.2.2. Диоды полупроводниковых ИМС
        • 11.2.3. Резисторы полупроводниковых ИМС
        • 11.2.4. Конденсаторы полупроводниковых ИМС
        • 11.2.5. Изоляция элементов в полупроводниковых ИМС
      • 11.3. Пленочные, гибридные и совмещенные ИМС
      • 11.4. Приборы с зарядовой связью
    • Литература

 

Valid CSS! Valid XHTML 1.1 Rambler's Top100

Вопрос службе поддержки

[x]
Не нашли ответ на свой вопрос?
Хотите сообщить нам об ошибке или неточности на сайте?
Заполните форму и мы обязательно свяжемся с Вами!
Поля, отмеченные *, являются обязательными.

Ваш логин
Как к Вам обращаться
Ваш Email *
Текст вопроса или сообщения *
(не более 1000 символов)
осталось